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首页 全部分类 STR1P2UH7 vs FDN308P

STR1P2UH7备选型号: FDN308P

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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STR1P2UH7
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    1.4A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ H7
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STR1
    P-Channel
    100m Ω @ 700mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    510pF @ 10V
    4.8nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1.4A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN308P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    P-Channel
    125m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    341pF @ 10V
    5.4nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    -1.5A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    10 Weeks
    3
    30mg
    SILICON
    2001
    e3
    yes
    3
    125MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -1.5A
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    8 ns
    SWITCHING
    10ns
    10 ns
    -1V
    12V
    -20V
    -1 V
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    无铅
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