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首页 全部分类 STS7PF30L vs IRF7807VPBF

STS7PF30L备选型号: IRF7807VPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 行间距
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STS7PF30L
    STMicroelectronics
    P-Channel 30 V 0.021 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - SOIC-8
    40 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    7A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    21mOhm
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -7A
    STS7P
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    7A
    增强型MOSFET
    2.5W
    68 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 3.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2600pF @ 25V
    38nC @ 4.5V
    54ns
    ±20V
    23 ns
    7A
    20V
    -30V
    1.25mm
    5mm
    4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7807VPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    30V
    DUAL
    鸥翼
    8.3A
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    6.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 7A, 4.5V
    3V @ 250μA
    -
    14nC @ 5V
    1.2ns
    ±20V
    2.2 ns
    8.3A
    20V
    30V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2003
    SMD/SMT
    6.3 mm
    0.025Ohm
    30V
    3 V
    无SVHC
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