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首页 全部分类 STS8DNF3LL vs IRF7902TRPBF

STS8DNF3LL备选型号: IRF7902TRPBF

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STS8DNF3LL
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    4.535924g
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e4
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    1.6W
    鸥翼
    260
    8A
    30
    STS8DN
    8
    增强型MOSFET
    2W
    18 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 4A, 10V
    1V @ 250μA
    800pF @ 25V
    17nC @ 5V
    32ns
    11 ns
    8A
    16V
    8A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    6.35mm
    12.7mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    6.4A 9.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    22.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    -
    IRF7902PBF
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22.6m Ω @ 6.4A, 10V
    2.25V @ 25μA
    580pF @ 15V
    6.9nC @ 4.5V
    -
    -
    9.7A
    20V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    1999
    Dual
    1.4W 2W
    7.3 mJ
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