STSJ60NH3LL备选型号: FDMS7678
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 包装
- 操作温度
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad表面贴装表面贴装SILICON60A TcTape & Reel (TR)-55°C~150°C TJSTripFET™e4Obsolete3 (168 Hours)8EAR994mOhm镍钯金低阈值30VDUAL鸥翼26015A30STSJ608R-PDSO-G8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET50WDRAINN-ChannelSWITCHING5.7m Ω @ 7.5A, 10V1V @ 250μA1810pF @ 25V24nC @ 4.5V65ns±16V20 ns15A16V60A30V60AROHS3 Compliant无铅------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDMS7678 - MOSFET, N-CH, 30V, 8PQFN8-PowerTDFN表面贴装表面贴装SILICON17.5A Ta 26A TcTape & Reel (TR)-55°C~150°C TJPowerTrench®e3活跃1 (Unlimited)5EAR99-Tin (Sn)--DUALFLAT-----R-PDSO-F5--增强型MOSFET41WDRAINN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 17.5A, 10V3V @ 250μA2410pF @ 15V39nC @ 10V4ns±20V3 ns17.5A20V26A30V70AROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)26 Weeks874mg2006yesSingle10 ns1.5VMO-240AA0.0055Ohm54 mJ1.5 V1.05mm5.1mm6.25mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7678 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR - FDMS7678 - MOSFET, N-CH, 30V, 8PQFN | 对比 | |
![]() | IRF8736PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | 对比 |
![]() | BSC050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TDSON EP | 对比 |





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