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首页 全部分类 STSJ60NH3LL vs IRF8736PBF

STSJ60NH3LL备选型号: IRF8736PBF

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  • 元素配置
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  • 阈值电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STSJ60NH3LL
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    60A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    STripFET™
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    4mOhm
    镍钯金
    低阈值
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    15A
    30
    STSJ60
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 7.5A, 10V
    1V @ 250μA
    1810pF @ 25V
    24nC @ 4.5V
    65ns
    ±16V
    20 ns
    15A
    16V
    60A
    30V
    60A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8736PBF
    Infineon Technologies
    IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    18A Ta
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    4.8MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 18A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2315pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    7.5 ns
    18A
    20V
    -
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8
    2007
    SMD/SMT
    Single
    12 ns
    1.8V
    30V
    24 ns
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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