STMicroelectronics STSJ60NH3LL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

38 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

4mOhm

端子表面处理

镍钯金

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STSJ60

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7m Ω @ 7.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 4.5V

上升时间

65ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅