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首页 全部分类 STU85N3LH5 vs IRLU8256PBF

STU85N3LH5备选型号: IRLU8256PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STU85N3LH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    80A Tc
    175°C TJ
    Tube
    STripFET™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    STU85
    3
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.4m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1850pF @ 25V
    14nC @ 5V
    14ns
    ±22V
    10.8 ns
    40A
    2.5V
    22V
    80A
    30V
    6.9mm
    6.6mm
    2.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLU8256PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 81A IPAK
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    81A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    63W
    -
    9.7 ns
    N-Channel
    -
    5.7mOhm @ 25A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1470pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    46ns
    ±20V
    8.5 ns
    81A
    1.8V
    20V
    -
    25V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    I-PAK
    2008
    通孔
    175°C
    -55°C
    25V
    25V
    1.47nF
    29 ns
    8.5mOhm
    5.7 mΩ
    1.8 V
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IRLU8256PBF IRLU8256PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 25V 81A IPAK 对比