STMicroelectronics STU85N3LH5

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

23.6 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

包装

Tube

操作温度

175°C TJ

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

基本部件号

STU85

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.4m Ω @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1850pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 5V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±22V

下降时间（典型值）

10.8 ns

连续放电电流(ID)

40A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

22V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80A

漏源击穿电压

30V

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

高度

6.9mm

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant