您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STW56N60M2 vs IPW60R070C6FKSA1

STW56N60M2备选型号: IPW60R070C6FKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STW56N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 52A TO247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    52A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW56N
    1
    Single
    350W
    18 ns
    N-Channel
    55m Ω @ 26A, 10V
    4V @ 250μA
    3750pF @ 100V
    91nC @ 10V
    ±25V
    52A
    25V
    600V
    150°C
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R070C6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    -
    2 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    53A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    70m Ω @ 25.8A, 10V
    3.5V @ 1.72mA
    3800pF @ 100V
    170nC @ 10V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    NO
    SILICON
    2008
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    600V
    TO-247AA
    53A
    0.07Ohm
    159A
    600V
    1135 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STW70N60DM2 STW70N60DM2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 66A 对比
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3 Tab) TO-247 对比
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 49A TO247 对比