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首页 全部分类 STW70N60DM2 vs IPW60R040C7XKSA1

STW70N60DM2备选型号: IPW60R040C7XKSA1

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STW70N60DM2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 66A
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    66A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW70N
    N-Channel
    42m Ω @ 33A, 10V
    5V @ 250μA
    5508pF @ 100V
    121nC @ 10V
    600V
    ±25V
    66A
    4V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R040C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    40m Ω @ 24.9A, 10V
    4V @ 1.24mA
    4340pF @ 400V
    107nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2007
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    0.04Ohm
    211A
    249 mJ
    无铅
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