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首页 全部分类 STW9N150 vs FQH8N100C

STW9N150备选型号: FQH8N100C

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • JEDEC-95代码
  • STMicroelectronics
    STW9N150
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.5Ohm
    Tin (Sn)
    STW9N
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    320W
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    3255pF @ 25V
    89.3nC @ 10V
    14.7ns
    1500V
    ±30V
    52 ns
    8A
    4V
    30V
    8A
    1.5kV
    720 mJ
    150°C
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQH8N100C
    ON Semiconductor
    N-channel Power Mosfet, Qfet®, 1000 V, 8.0 A, 1.45 ?, TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    225W
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.45 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    3220pF @ 25V
    70nC @ 10V
    95ns
    1000V
    ±30V
    80 ns
    8A
    -
    30V
    8A
    1kV
    850 mJ
    -
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    6.39g
    2013
    yes
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    TO-247AB
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