STMicroelectronics STW9N150

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

320W Tc

Turn Off Delay Time

86 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.5Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

基本部件号

STW9N

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

320W

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3255pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

89.3nC @ 10V

上升时间

14.7ns

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

52 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

1.5kV

雪崩能量等级（Eas）

720 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

24.45mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅