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首页 全部分类 STW9N150 vs STW6N120K3

STW9N150备选型号: STW6N120K3

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  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STW9N150
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.5Ohm
    Tin (Sn)
    STW9N
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    320W
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    3255pF @ 25V
    89.3nC @ 10V
    14.7ns
    1500V
    ±30V
    52 ns
    8A
    4V
    30V
    8A
    1.5kV
    720 mJ
    150°C
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW6N120K3
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.4Ohm
    -
    STW6N
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4 Ω @ 2.5A, 10V
    5V @ 100μA
    1050pF @ 100V
    34nC @ 10V
    12ns
    1200V
    ±30V
    32 ns
    6A
    4V
    30V
    6A
    1.2kV
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    20A
    4 V
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