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TC8220K6-G备选型号: DMP56D0UFB-7
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
Two Pair N- And P-channel Enhancement-mode Mosfet3 Weeks表面贴装表面贴装12-VFDFN Exposed Pad12SILICON4-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e4活跃2 (1 Year)12EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLDDUAL无铅26040不合格SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR增强型MOSFET2 N and 2 P-ChannelSWITCHING6 Ω @ 1A, 10V2.4V @ 1mA56pF @ 25V200VN-CHANNEL AND P-CHANNEL7Ohm200VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant---------------
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN15 Weeks表面贴装表面贴装3-UFDFN3-200mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e4活跃1 (Unlimited)-EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)--------P-Channel-6 Ω @ 100mA, 4V1.2V @ 250μA50.54pF @ 25V50V-----ROHS3 CompliantSingle4.46 ns0.58nC @ 4V6.63ns±8V15 ns200mA8V0.2A480μm1.08mm675μm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | 对比 |
| DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | 对比 |
 | DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | 对比 |
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