注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.957463
10
¥24.488174
100
¥23.10205
500
¥21.794388
1000
¥20.560743
Microchip Technology TC8220K6-G
- 收藏
- 对比
TC8220K6-G
1610-TC8220K6-G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
12-VFDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

Two Pair N- And P-channel Enhancement-mode Mosfet
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TC8220K6-G详情
Microchip Technology TC8220K6-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
3 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
12-VFDFN Exposed Pad
引脚数
12
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
12
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
2 N and 2 P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
56pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
200V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
7Ohm
DS 击穿电压-最小值
200V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
TC8220K6-G拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology









哦! 它是空的。