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首页 全部分类 TK12E60W,S1VX vs IPP60R280P6XKSA1

TK12E60W,S1VX备选型号: IPP60R280P6XKSA1

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  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK12E60W,S1VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    11.5A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    110W
    N-Channel
    300m Ω @ 5.8A, 10V
    3.7V @ 600μA
    890pF @ 300V
    25nC @ 10V
    23ns
    ±30V
    5.5 ns
    11.5A
    30V
    600V
    超级交界处
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R280P6XKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    104W
    N-Channel
    280mOhm @ 6.5A, 10V
    3.5V @ 430μA
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    -
    13.8A
    20V
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    PG-TO220-3
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    12 ns
    无卤素
    600V
    600V
    950pF
    252mOhm
    280 mΩ
    无铅
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