Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W,S1VX

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

85 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

110W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 600μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

890pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

11.5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

场效应管特性

超级交界处

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准