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首页 全部分类 TK31E60W,S1VX vs FCP36N60N

TK31E60W,S1VX备选型号: FCP36N60N

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  • 场效应管特性
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK31E60W,S1VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    30.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    230W
    N-Channel
    88m Ω @ 15.4A, 10V
    3.7V @ 1.5mA
    3000pF @ 300V
    86nC @ 10V
    32ns
    ±30V
    8.5 ns
    30.8A
    30V
    600V
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCP36N60N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SupreMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    312W
    N-Channel
    90m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    4785pF @ 100V
    112nC @ 10V
    22ns
    ±30V
    4 ns
    36A
    30V
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    3
    2.421g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    90MOhm
    Tin (Sn)
    增强型MOSFET
    23 ns
    SWITCHING
    2V
    TO-220AB
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    无铅
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