Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W,S1VX

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

230W Tc

Turn Off Delay Time

165 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

230W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

88m Ω @ 15.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 1.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 10V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

8.5 ns

连续放电电流(ID)

30.8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

符合RoHS标准