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首页 全部分类 TK31E60W,S1VX vs IPP60R099P6XKSA1

TK31E60W,S1VX备选型号: IPP60R099P6XKSA1

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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK31E60W,S1VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    30.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    230W
    N-Channel
    88m Ω @ 15.4A, 10V
    3.7V @ 1.5mA
    3000pF @ 300V
    86nC @ 10V
    32ns
    ±30V
    8.5 ns
    30.8A
    30V
    600V
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R099P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    37.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    278W
    N-Channel
    99m Ω @ 14.5A, 10V
    4.5V @ 1.21mA
    3330pF @ 100V
    70nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    5 ns
    37.9A
    20V
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    20 ns
    无卤素
    3.5V
    600V
    150°C
    20.7mm
    无铅
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