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首页 全部分类 TK42E12N1,S1X vs IPP083N10N5AKSA1

TK42E12N1,S1X备选型号: IPP083N10N5AKSA1

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK42E12N1,S1X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    88A Tc
    150°C TJ
    Tube
    U-MOSVIII-H
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    140W
    N-Channel
    9.4m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 1mA
    3100pF @ 60V
    52nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    22 ns
    88A
    20V
    120V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP083N10N5AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    -
    N-Channel
    8.3m Ω @ 73A, 10V
    3.8V @ 49μA
    2730pF @ 50V
    37nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    73A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    6.000006g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    SWITCHING
    无卤素
    TO-220AB
    100V
    0.0083Ohm
    292A
    42 mJ
    含铅
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