Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

88A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

U-MOSVIII-H

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

140W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.4m Ω @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3100pF @ 60V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

88A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

120V

RoHS状态

符合RoHS标准