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TK5Q65W,S1Q备选型号: IPS65R1K0CEAKMA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 箱体转运
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- 下降时间（典型值）
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK16 WeeksTO-251-3 Stub Leads, IPak通孔通孔5.2A Ta3.5V @ 170μA2015DTMOSIVTube150°C TJ活跃1 (Unlimited)N-Channel1.22 Ω @ 2.6A, 10V380pF @ 300V10.5nC @ 10V650V±30V5.2A符合RoHS标准-------------------------
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-36 WeeksTO-251-3 Stub Leads, IPak通孔通孔4.3A Tc3.5V @ 200μA2008CoolMOS™ CETube-40°C~150°C TJDiscontinued1 (Unlimited)N-Channel1 Ω @ 1.5A, 10V328pF @ 100V15.3nC @ 10V-±20V4.3AROHS3 Compliant3343.085929mgSILICONe3yes3Tin (Sn)未说明未说明1Single增强型MOSFETDRAIN6.6 nsSWITCHING无卤素5.2ns13.6 ns20V650V1Ohm650V50 mJnot_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STU7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | NDD60N900U1-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 | 对比 |
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