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首页 全部分类 TK5Q65W,S1Q vs STU7N65M2

TK5Q65W,S1Q备选型号: STU7N65M2

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  • 场效应管类型
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  • 电阻
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK5Q65W,S1Q
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
    16 Weeks
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    通孔
    通孔
    5.2A Ta
    3.5V @ 170μA
    2015
    DTMOSIV
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.22 Ω @ 2.6A, 10V
    380pF @ 300V
    10.5nC @ 10V
    650V
    ±30V
    5.2A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STU7N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V
    26 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    30 ns
    4V @ 250μA
    -
    MDmesh™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.15 Ω @ 2.5A, 10V
    270pF @ 100V
    9nC @ 10V
    -
    ±25V
    5A
    ROHS3 Compliant
    3
    3.949996g
    EAR99
    980mOhm
    未说明
    未说明
    STU7N
    8 ns
    20ns
    20 ns
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
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