TK5Q65W,S1Q
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Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W,S1Q

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型号

TK5Q65W,S1Q

utmel 编号

2541-TK5Q65W,S1Q

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Stub Leads, IPak

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK

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1最小包装量--

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TK5Q65W,S1Q
TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK

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TK5Q65W,S1Q详情

Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W,S1Q重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-251-3 Stub Leads, IPak

  • 安装类型

    通孔

  • 底架

    通孔

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.2A Ta

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3.5V @ 170μA

  • Power Dissipation (Max)

    60W Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 已出版

    2015

  • 系列

    DTMOSIV

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.22 Ω @ 2.6A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    380pF @ 300V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10.5nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    5.2A

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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