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TK5Q65W,S1Q备选型号: NDD60N900U1-35G

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安装类型
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Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
已出版
系列
包装
操作温度
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
无铅代码
ECCN 代码
峰值回流焊温度（摄氏度）
时间@峰值回流温度-最大值(s)
无铅

TK5Q65W,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK

16 Weeks
TO-251-3 Stub Leads, IPak
通孔
通孔
5.2A Ta
3.5V @ 170μA
2015
DTMOSIV
Tube
150°C TJ
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
1.22 Ω @ 2.6A, 10V
380pF @ 300V
10.5nC @ 10V
650V
±30V
5.2A
符合RoHS标准
-
-
-
-
-
NDD60N900U1-35G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3

9 Weeks
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
通孔
通孔
5.7A Tc
4V @ 250μA
2013
-
Tube
-55°C~150°C TJ
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
3 (168 Hours)
N-Channel
900m Ω @ 2.5A, 10V
360pF @ 50V
12nC @ 10V
600V
±25V
5.7A
符合RoHS标准
yes
EAR99
未说明
未说明
无铅
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