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首页 全部分类 TK9A90E,S4X vs DMG9N65CT

TK9A90E,S4X备选型号: DMG9N65CT

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK9A90E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    6.000006g
    9A Ta
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    80 ns
    N-Channel
    1.3Ohm @ 4.5A, 10V
    4V @ 900μA
    2000pF @ 25V
    46nC @ 10V
    40ns
    900V
    ±30V
    35 ns
    9A
    30V
    2nF
    1Ohm
    1.3 Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG9N65CT
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    2.299997g
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1
    -
    39 ns
    N-Channel
    1.3 Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2310pF @ 25V
    39nC @ 10V
    29ns
    -
    ±30V
    28 ns
    9A
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e3
    no
    3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    260
    not_compliant
    40
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-220AB
    9A
    650V
    无SVHC
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