Diodes Incorporated DMG9N65CT

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Turn Off Delay Time

122 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

165W Tc

已出版

2015

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

39 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3 Ω @ 4.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2310pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

29ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

9A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

650V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant