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首页 全部分类 TP2104N3-G-P003 vs BS170P

TP2104N3-G-P003备选型号: BS170P

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  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TP2104N3-G-P003
    Microchip Technology
    MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-40V,6.0 Ohm3 TO-92T/R
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    175mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    1
    Single
    增强型MOSFET
    4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    6 Ω @ 500mA, 10V
    2V @ 1mA
    60pF @ 25V
    4ns
    40V
    ±20V
    5 ns
    175mA
    20V
    6Ohm
    -40V
    5.33mm
    5.21mm
    4.19mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BS170P
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. BS170P MOSFET Transistor, N Channel, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
    17 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    270mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5 Ω @ 200mA, 10V
    3V @ 1mA
    60pF @ 10V
    -
    -
    ±20V
    -
    270mA
    20V
    -
    60V
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    e3
    yes
    5Ohm
    60V
    WIRE
    260
    270mA
    40
    3
    不合格
    625mW
    3V
    0.27A
    3 V
    无SVHC
    无铅
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