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首页 全部分类 TPC8129,LQ(S vs IRF7416TRPBF

TPC8129,LQ(S备选型号: IRF7416TRPBF

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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TPC8129,LQ(S
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    9A Ta
    2V @ 200μA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    U-MOSVI
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    22m Ω @ 4.5A, 10V
    1650pF @ 10V
    39nC @ 10V
    8ns
    30V
    +20V, -25V
    42 ns
    9A
    20V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRF7416TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    10A Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    20m Ω @ 5.6A, 10V
    1700pF @ 25V
    92nC @ 10V
    49ns
    30V
    ±20V
    60 ns
    -10A
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    20mOhm
    超低电阻
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -10A
    6.3 mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    18 ns
    SWITCHING
    -2.04V
    -30V
    45A
    -30V
    370 mJ
    85 ns
    150°C
    -20 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无铅
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