TPC8129,LQ(S备选型号: IRF9332TRPBF

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  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    9A Ta
    2V @ 200μA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    U-MOSVI
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    22m Ω @ 4.5A, 10V
    1650pF @ 10V
    39nC @ 10V
    8ns
    30V
    +20V, -25V
    42 ns
    9A
    20V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    9.8A Ta
    2.4V @ 25μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    17.5m Ω @ 9.8A, 10V
    1270pF @ 25V
    41nC @ 10V
    47ns
    30V
    ±20V
    58 ns
    9.8A
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    15 ns
    SWITCHING
    -30V
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