Toshiba Semiconductor and Storage TPC8129,LQ(S
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TPC8129,LQ(S
2541-TPC8129,LQ(S
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
1最小包装量--
TPC8129,LQ(S详情
Toshiba Semiconductor and Storage TPC8129,LQ(S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 200μA
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVI
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 4.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1650pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
39nC @ 10V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
+20V, -25V
下降时间(典型值)
42 ns
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TPC8129,LQ(S拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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