UM6K31NTN备选型号: 2N7002DWH6327XTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 资历状况
- 功率耗散
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT616 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2007yes活跃1 (Unlimited)6EAR99150mW鸥翼2601062增强型MOSFET3.5 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING2.4 Ω @ 250mA, 10V2.3V @ 1mA15pF @ 25V5ns60V28 ns250mA20V60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive无ROHS3 Compliant无铅-------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装6-VSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON300mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010yes活跃1 (Unlimited)6EAR99500mW鸥翼未说明未说明6-增强型MOSFET3 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING3 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 250μA20pF @ 25V3.3ns-3.1 ns115mA20V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-ROHS3 Compliant无铅OptiMOS™e3Matte Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE不合格500mW无卤素0.6nC @ 10V60V0.3A3Ohm3 pF无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | 对比 |



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