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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.716687
10
¥0.67612
100
¥0.637849
500
¥0.601745
1000
¥0.567684
ROHM Semiconductor UM6K31NTN
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- 对比
UM6K31NTN
2078-UM6K31NTN
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
UM6K31NTN详情
ROHM Semiconductor UM6K31NTN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
3.5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4 Ω @ 250mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
15pF @ 25V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
250mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UM6K31NTN拓展信息
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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