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UM6K34NTCN备选型号: DMN55D0UT-7
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT616 Weeks6-TSSOP, SC-88, SOT-363表面贴装表面贴装SILICON22011Cut Tape (CT)150°C TJyes活跃1 (Unlimited)6EAR99120mW鸥翼260106R-PDSO-G6不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET120mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING2.2 Ω @ 200mA, 4.5V800mV @ 1mA26pF @ 10V50V200mA0.2A2.8Ohm50VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 0.9V DriveROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-52318 WeeksSOT-523表面贴装表面贴装SILICON160mA Ta2012Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJyes活跃1 (Unlimited)3EAR99-鸥翼260403---增强型MOSFET-N-Channel-4 Ω @ 100mA, 4V1V @ 250μA25pF @ 10V-160mA-4Ohm---ROHS3 Compliant无铅37.994566mge3Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL1Single200mW±12V800mV12V50V750μm1.6mm800μm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS138W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET 50V N-CH Logic Level | 对比 |
| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-523 | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | 对比 |
 | BSS138 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 | 对比 |
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