ROHM Semiconductor UM6K34NTCN

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

已出版

2011

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

120mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

120mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

800mV @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

26pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

50V

连续放电电流(ID)

200mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

2.8Ohm

DS 击穿电压-最小值

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 0.9V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅