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首页 全部分类 UML6NTR vs PEMF21,115

UML6NTR备选型号: PEMF21,115

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  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最高频率
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ROHM Semiconductor
    UML6NTR
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 12V 0.5A UMT6
    10 Weeks
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
    表面贴装
    表面贴装
    5
    SILICON
    270
    2005
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    120mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    *ML6
    5
    500mA
    NPN
    1
    Single
    SWITCHING
    320MHz
    NPN + Diode (Isolated)
    12V
    500mA
    270 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    320MHz
    12V
    15V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PEMF21,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    26 Weeks
    SOT-563, SOT-666
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -
    12V
    2009
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    300mW
    -
    FLAT
    -
    -
    PEMF21
    6
    -
    NPN, PNP
    -
    Dual
    SWITCHING
    -
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    300mV
    500mA
    30 @ 5mA 5V / 200 @ 10mA 2V
    1μA
    300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    280MHz
    12V
    -
    -6V
    符合RoHS标准
    无
    -
    无铅
    150°C
    -65°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    200mW
    50V 12V
    280MHz
    10k Ω
    -500mA
    10k Ω
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