ROHM Semiconductor UML6NTR
- 收藏
- 对比
UML6NTR
2078-UML6NTR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
大陆
立即发货

TRANS NPN 12V 0.5A UMT6
--最小包装量--
UML6NTR详情
ROHM Semiconductor UML6NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
270
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
已出版
2005
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最大功率耗散
120mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*ML6
引脚数量
5
最大输出电流
500mA
极性
NPN
通道数量
1
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
320MHz
晶体管类型
NPN + Diode (Isolated)
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 200mA
转换频率
320MHz
最大击穿电压
12V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
UML6NTR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








哦! 它是空的。