VBH40-05B备选型号: STE70NM50

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 正向电压
  • 连续放电电流(ID)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
    32 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    V2-PAK
    23
    SILICON
    1
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    HiPerFET™
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    23
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    不合格
    BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN SINGLE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    116m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 8mA
    270nC @ 10V
    500V
    1.2V
    40A
    400A
    500V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    70A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    266nC @ 10V
    -
    -
    30A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    EAR99
    50mOhm
    500V
    70A
    STE70
    4
    600W
    51 ns
    7500pF @ 25V
    58ns
    ±30V
    46 ns
    4V
    30V
    500V
    280A
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无铅
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