IXYS VBH40-05B

工厂交货时间

32 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

V2-PAK

引脚数

23

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

HiPerFET™

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

23

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN SINGLE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

116m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 8mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

270nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

正向电压

1.2V

连续放电电流(ID)

40A

峰值非恢复性浪涌电流

400A

DS 击穿电压-最小值

500V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant