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首页 全部分类 VMO60-05F vs STGE200NB60S

VMO60-05F备选型号: STGE200NB60S

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  • 配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
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  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    VMO60-05F
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 500V 60A 4-Pin TO-240AA
    24 Weeks
    底座安装
    底座安装
    TO-240AA
    4
    SILICON
    60A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    HiPerFET™
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    65MOhm
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    VMO
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    590W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 24mA
    12600pF @ 25V
    405nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    30 ns
    60A
    20V
    500V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
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  • STMicroelectronics
    STGE200NB60S
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGE200NB60S IGBT Single Transistor, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    PowerMESH™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    STGE200
    4
    -
    Single
    -
    600W
    ISOLATED
    -
    电源控制
    -
    -
    -
    -
    112ns
    -
    -
    200A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    28.349523g
    1.2V
    EAR99
    Nickel (Ni)
    600V
    600W
    150A
    64 ns
    600V
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    200A
    500μA
    1.56nF
    170 ns
    1.6V @ 15V, 100A
    4600 ns
    无
    20V
    1.56nF @ 25V
    1.6 V
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
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