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VN0300L-G-P002备选型号: ZVN4206AVSTZ
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,30V,1.2 Ohm3 TO-92RVT/R6 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3453.59237mgSILICON640mA Tj-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM未说明未说明1Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 1A, 10V2.5V @ 1mA190pF @ 20V±30V640mA30V0.64A30V50 pF5.33mm5.21mm4.19mmROHS3 Compliant---- MOSFET Avalanche17 Weeks-通孔E-Line-3---600mA Ta-55°C~150°C TJTape & Box (TB)2006活跃1 (Unlimited)-EAR99------N-Channel-1 Ω @ 1.5A, 10V3V @ 1mA100pF @ 25V±20V--------ROHS3 Compliante3Matte Tin (Sn)60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZVN4206AVSTZ | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | E-Line-3 | MOSFET Avalanche | 对比 |
| ZVN4206A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3 | 对比 |
 | STQ1HN60K3-AP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 | 对比 |
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