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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.960254
10
¥10.339865
100
¥9.754585
500
¥9.202439
1000
¥8.681547
Microchip Technology VN0300L-G-P002
- 收藏
- 对比
VN0300L-G-P002
1610-VN0300L-G-P002
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,30V,1.2 Ohm3 TO-92RVT/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
VN0300L-G-P002详情
Microchip Technology VN0300L-G-P002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
640mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
190pF @ 20V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
640mA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.64A
漏源击穿电压
30V
反馈上限-最大值 (Crss)
50 pF
高度
5.33mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VN0300L-G-P002拓展信息
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