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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.676067
10
¥8.184971
100
¥7.721672
500
¥7.284591
1000
¥6.872255
STMicroelectronics STQ1HN60K3-AP
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- 对比
STQ1HN60K3-AP
2381-STQ1HN60K3-AP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STQ1HN60K3-AP详情
STMicroelectronics STQ1HN60K3-AP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
400mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
23 ns
Power Dissipation (Max)
3W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
系列
SuperMESH3™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STQ1
元素配置
Single
功率耗散
3W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8 Ω @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
400mA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
高度
2.8mm
长度
4.8mm
宽度
3.8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
STQ1HN60K3-AP拓展信息
STMicroelectronics
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