VT6J1T2CR备选型号: MCH3377-TL-W
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 端子位置
- Reach合规守则
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT616 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat LeadsSILICON2150°C TJCut Tape (CT)2012e1活跃1 (Unlimited)6EAR99锡银铜120mW260106R-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR增强型MOSFET120mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING3.8 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 100μA15pF @ 10V20V100mA0.1A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 1.2V DriveROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES8 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat LeadSILICON3A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2014e6活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)-----SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-P-ChannelSWITCHING83m Ω @ 1.5A, 4.5V-375pF @ 10V20V3A3A20V--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)3124.596154mgyesDUALnot_compliant18.1 ns4.6nC @ 4.5V26ns±10V37 ns10V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH3481-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | 对比 | |
| MCH3377-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES | 对比 |


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