VT6K1T2CR备选型号: MCH3377-TL-W

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡银铜
    120mW
    260
    10
    6
    2
    增强型MOSFET
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 100μA
    7.1pF @ 10V
    4ns
    20V
    38 ns
    100mA
    8V
    0.1A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    3
    SILICON
    3A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    8.1 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    83m Ω @ 1.5A, 4.5V
    -
    375pF @ 10V
    26ns
    20V
    37 ns
    3A
    10V
    3A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    124.596154mg
    yes
    DUAL
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    4.6nC @ 4.5V
    ±10V
    20V
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