XP151A13A0MR-G备选型号: FDN335N
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-331A Ta150°C TATape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)EAR99Single增强型MOSFET10 nsN-Channel100m Ω @ 500mA, 4.5V1V @ 1mA220pF @ 10V15ns20V±8V65 ns1A8V1A无ROHS3 Compliant-----------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDN335N - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-331.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999活跃1 (Unlimited)EAR99-增强型MOSFET5 nsN-Channel70m Ω @ 1.7A, 4.5V1.5V @ 250μA310pF @ 10V8.5ns-±8V8.5 ns1.7A8V-无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 5 days ago)TinSILICONCASE 527AG-01PowerTrench®e3yes3SMD/SMT70MOhm20VDUAL鸥翼1.7A20VSingle17A500mWSWITCHING5nC @ 4.5V900mV20V25V800 mV940μm2.92mm3.05mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTR4501NT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | 对比 | |
![]() | FDN335N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN335N - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount | 对比 |
![]() | FDN340P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN340P - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |



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