XP162A11C0PR-G备选型号: RE1E002SPTCL
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 无铅
- MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT8910 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AASILICON2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2005yes活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLEFLAT未说明未说明3R-PSSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING150m Ω @ 1.5A, 10V280pF @ 10V30V±20V2.5A0.28Ohm10A30VROHS3 Compliant---
- MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT316 Weeks表面贴装表面贴装SC-89, SOT-490SILICON250mA Ta150°C TJCut Tape (CT)2015-活跃1 (Unlimited)3EAR99DUALFLAT未说明未说明-R-PDSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 250mA, 10V30pF @ 10V30V±20V250mA--30VROHS3 Compliant2.5V @ 1mA0.25A无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RJP020N06T100 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 | 对比 | |
| RE1E002SPTCL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3 | 对比 | |
![]() | ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 | 对比 |



哦! 它是空的。