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XP162A11C0PR-G备选型号: RE1E002SPTCL
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT8910 WeeksTO-243AA表面贴装表面贴装3SILICON2W Ta2005Tape & Reel (TR)150°C TJyes活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLEFLAT未说明未说明R-PSSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING150m Ω @ 1.5A, 10V280pF @ 10V30V±20V2.5A0.28Ohm10A30VROHS3 Compliant---
MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT316 WeeksSC-89, SOT-490表面贴装表面贴装-SILICON250mA Ta2015Cut Tape (CT)150°C TJ-活跃1 (Unlimited)3EAR99DUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 250mA, 10V30pF @ 10V30V±20V250mA--30VROHS3 Compliant2.5V @ 1mA0.25A无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RJP020N06T100 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 | 对比 |
| RE1E002SPTCL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3 | 对比 |
 | ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 | 对比 |
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