ROHM Semiconductor RE1E002SPTCL
- 收藏
- 对比
RE1E002SPTCL
2078-RE1E002SPTCL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-89, SOT-490
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3
--最小包装量--
RE1E002SPTCL详情
ROHM Semiconductor RE1E002SPTCL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
250mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 250mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
30pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
250mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.25A
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RE1E002SPTCL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。