ZVP1320FTA备选型号: ZVN3320FTA

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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Diodes Incorporated
    P-Channel 200 V 80 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    7.994566mg
    SILICON
    35mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    80Ohm
    Matte Tin (Sn)
    -200V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -35mA
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    350mW
    8 ns
    P-Channel
    80 Ω @ 50mA, 10V
    3.5V @ 1mA
    50pF @ 25V
    8ns
    200V
    ±20V
    8 ns
    35mA
    -1.5V
    20V
    -200V
    5 pF
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    7.994566mg
    SILICON
    60mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    25Ohm
    -
    200V
    DUAL
    鸥翼
    260
    60mA
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    330mW
    5 ns
    N-Channel
    25 Ω @ 100mA, 10V
    3V @ 1mA
    45pF @ 25V
    7ns
    -
    ±20V
    7 ns
    60mA
    1V
    20V
    200V
    5 pF
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    0.06A
    1A
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